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三星布局5nm、4nm、3nm工艺:直逼物理极限:搜龙体育
2021-10-09 [27040]
本文摘要:这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路飞驰,虽然有技术之争但把曾多次的领导者Intel相比之下扯在身后早已是不争的事实。

这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路飞驰,虽然有技术之争但把曾多次的领导者Intel相比之下扯在身后早已是不争的事实。在美国举办的三星工艺论坛SFF2018USA之上,三星堪称宣告将倒数进占5nm、4nm、3nm工艺,直扑物理无限大!7LPP(7nmLowPowerPlus)三星将在7LPP工艺上首次应用于EUV极紫外光刻技术,预计今年下半年投产。关键IP正在研发中,明年上半年已完成。

5LPE(5nmLowPowerEarly)在7LPP工艺的基础上之后创意改良,可更进一步增大芯片核心面积,带给超强低功耗。4LPE/LPP(4nmLowPowerEarly/Plus)最后一次应用于高度成熟期和行业检验的FinFET立体晶体管技术,融合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更加小,性能更高,可以较慢超过低良率量产,也便利客户升级。

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3GAAE/GAAP(3nmGate-All-AroundEarly/Plus)Gate-All-Around就是环绕着栅极,比起于现在的FinFETTri-Gate三栅极设计,将新的设计晶体管底层结构,解决当前技术的物理、性能无限大,强化栅极掌控,性能大大提高。三星的GAA技术叫作MBCFET(多桥地下通道场效应管),正在用于纳米层设备研发之中。

大家有可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但只不过在高性能领域,三星也打算了杀手锏,大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习,7LPP和先前工艺都能获取服务,并有一整套平台解决方案。比如高速的100GbpsSerDes(串行切换解串器),三星就设计了2.5D/3D异构PCB技术。而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备,三星也将获取全套原始的交钥匙平台方案,从28/18nmeMRA/RF到10/8nmFinFET任君自由选择。同时,三星在补足讲话中提及,“KeyIP”将在2019年上半年构建交付给,这就意味著某个客户的处理器芯片早已向三星下订单了,明年就能交付给。


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